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          MOS場效應管

          MOS場效應管

          產品詳情

            MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET,即金屬氧化物組成半導體的場效應晶體管),歸于絕緣柵型。在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因而具有很高的輸入電阻(較高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。

            根據導電方法的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時,管子是呈截止狀況;加上正確的VGS后,大都載流子被吸引到柵極,然后“增強”了該區域的載流子,構成導電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時即構成溝道,加上正確的VGS時,能使大都載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。

            MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又十分小,極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少數電荷就可在極間電容上構成適當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。因而出廠時各管腳都絞合在一起,或裝在金屬箔內,使G極與S極呈等電位,防止積累靜電荷


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